研發中心 張磊
中國目前陸地干線網主要以普通G.652.D光纖為主,而90年代鋪設的光纜已經達到預期20-25年的使用壽命,所以今后幾年將逐步面臨著對主干網絡進行升級換代的要求。因此,如何為長距離陸地干線光纜選擇合適的光纖,對于網絡運營商和光通信公司來說都是一個急需解決的問題。為了獲得最佳的系統性能,如果將超低衰減和大有效面積的特性融合到一根光纖中去,這種光纖將會是下一代通信光纖中最完美的光纖。
下表中給出了目前正在討論中的G.654.E光纖指標和長飛超低衰減大有效面積光纖的性能指標范圍,長飛公司的超低衰減大有效面積光纖(遠貝®超強)能夠滿足甚至優于現有最嚴格的G.654.E標準建議。
參數名稱 |
G.654.E 討論稿 |
YOFC 產品手冊范圍 |
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建議1 |
建議2 |
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E1 |
E2 |
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光學參數 |
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*模場直徑@1550nm (um) |
名義范圍 |
11.5-13.0 |
11.0-12.0 |
12.0-13.0 |
11.4-12.2 Typical: 11.8 |
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正負偏差 |
±0.7 |
±0.7 |
±0.7 |
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有效面積典型值@1550nm (um2) |
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110 |
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*光纜截止波長 (nm) |
≤1510 |
≤1530 |
≤1530 |
≤1530 典型值 1440nm |
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*衰減系數 @1550nm (dB/km) |
≤0.20 |
≤0.20-0.25 |
≤0.174 |
|||
*宏彎 (R30mm×100 turns) |
1550nm (dB) |
TBD |
TBD |
TBD |
≤0.1 |
|
1625nm (dB) |
≤0.2 |
≤0.5 |
≤0.5 |
≤0.2 |
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*色散系數 @1550nm (ps/nm/km) |
≤22 |
≤22 |
≤22 |
≤22 |
||
色散斜率 @1550nm (ps/nm2/km) |
≤0.070 |
≤0.070 |
≤0.070 |
≤0.070 |
||
PMD (ps/km1/2) |
≤0.2 |
≤0.2 |
≤0.2 |
≤0.2 |
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幾何參數 |
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包層外徑 (um) |
125±1 |
125±1 |
125±1 |
125±1 |
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芯包同心度 (um) |
≤0.8 |
≤0.8 |
≤0.8 |
≤0.8 |
||
包層圓度 (%) |
≤1.0 |
≤1.0 |
≤1.0 |
≤1.0 |
||
*仍然在討論中, ITU-T Q5小組未有明確建議。
光纖折射率剖面結構示意圖
和傳統的摻氟外包層結構的超低衰減大有效面積光纖相比,長飛采用純二氧化硅(SiO2)作為光纖的外包層,由于減少了氟摻雜材料的使用量,無論從材料制備成本,制備技術難度以及環保等角度,我們的超低衰減大有效面積光纖產品在成本上更具有競爭力。
無論從理論還是實際角度,更低的衰減可以減少中繼站的數量并降低長距離通信網絡的維護成本,因此不斷地降低光纖衰減系數是光纖研發的長期目標。對于光纖研發和制造企業,如果我們可以在理論上,對衰減組成的各個部分進行定性和定量的分析,就可以有效的幫助我們找到降低衰減的最優途徑,在實際工作中指導我們的工作方向。